局部放電（簡稱局放）是指僅使導體間的部分絕緣發(fā)生的放電現象，發(fā)生的位置距離導體可能很近，也有可能不是在導體的附近。造成局部放電的原因一般是絕緣體內部或表面的場強畸變，通常局部放電波形是持續(xù)時間<1μs的高頻脈沖。電暈放電是局部放電的一種，它是在導體附近的介質中發(fā)生的。并不是所有的局部放電都是電暈放電，局部放電還有其它表現形式。

局部放電經常發(fā)生在固體的孔隙或者液體介質的氣泡中，或者由于高壓電氣設備的氣體介質、液體介質或固體介質中有尖的突起導致空間電場嚴重畸變。如果局部場強超過放電起始電壓，而且存在自由電子，則會發(fā)生電子崩。可能由于空腔壁的壁全效應，或者由于在氣體介質或液體介質中傳播時的空間電荷效應，這樣的電子崩止于局部放電。局部放電的過程是有局限的，而且具有暫態(tài)的性質，在時空特性上具有微秒級或更短的時間持續(xù)。雖然局部放電持續(xù)時間很短，但是局部放電的高能帶電粒子與直接在導體附近的固體介質或液體介質相互影響，zui終可能導致分子的化學鍵斷裂、化學性質發(fā)生變化，燒燭絕緣材料。

重要的是，我們檢測得到的并不是真正的局部放電，它是局部放電在靠近導體或終端產生的電荷，或者甚至從更為復雜的角度，波從誘導電荷傳播到局部放電檢測器。在頻率更高時，分立元件這個概念并不一定總能有效的，而實際上分析這類問題時更多的采用偶極子模型或波激勵的概念。

長時間作用下，高能帶電粒子與直接在導體附近的固體介質或液體介質相互影響可能會導致全部絕緣的介電性能而受到破壞，假如局部放電是連續(xù)發(fā)生的，則這種破壞將具有累積效應，這種破壞實際上就是一種絕緣“運行老化”。雖然造成絕緣老化的過程還有其它原因，但局部放電是引起介質絕緣老化的一個zui主要原因。因此，在絕緣介質中對局部放電進行檢測和標定是評定絕緣狀態(tài)的必然要求。